Исследованы полупроводниковые обострители, обеспечивающие субнаносекундное время нарастания импульсов гигаваттного уровня мощности. Обострители представляют собой сборки из последовательно соединенных динисторных структур, которые встраиваются в маслонаполненную коаксиальную линию с волновым сопротивлением 48 Ом по месту внутреннего электрода. Входной импульс напряжения имеет амплитуду 540 кВ с фронтом ~1.2 нс и скоростью нарастания напряжения ~0.3 МВ/нс. После прохождения импульса через секции обострения его фронт сокращается до 360 пс, а скорость нарастания напряжения возрастает до ~1 МВ/нс. Пиковая мощность обостренного импульса лежит в диапазоне 4.5–5.5 ГВт. Обострители испытаны при частоте следования импульсов до 1 кГц в режиме пачки импульсов.
Предложен и реализован способ компрессии энергии импульса гиромагнитной нелинейной линией с насыщенным ферритом. Режим компрессии энергии с увеличением выходной мощности реализуется при сопоставимых значениях длительности входного импульса и периода возбуждаемых в линии колебаний. При пиковой мощности входного импульса 6 ГВт (490 кВ, 40 Ом) длительностью ~7 нс на выходе двухкаскадного компрессора получено рекордное значение пиковой мощности для импульсов субнаносекундного диапазона длительности – 30 ГВт (1.1 МВ, 40 Ом) и 0.65 нс.
