|
|
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
|
|
Генераторы коротких импульсовПри исследовании SOS-диодов оказалось, что при уменьшении времени обратной накачки до 10-15 нс время обрыва тока уменьшается до 500-600 пс. На рис. 16 показана стадия субнаносекундного обрыва тока, величиной 1 кА. Время обрыва - 600 пс. 
Рис. 16. На фотографии рис. 17 показан субнаносекундный SOS-диод, имеющий рабочее напряжение до 250 кВ при длительности импульса от 3 до 4 нс. Он имеет длину около 110 мм и содержит 2 параллельных ветви по 160 последовательно соединенных полупроводниковых структур в каждой. Площадь структуры - 0.25 см2. 
Рис. 17 На основе субнаносекундного SOS-диода разработаны два генератора коротких импульсов [23, 31]. Первый генератор SM-2NS обеспечивает выходное напряжение от 150 до 250 кВ при длительности импульса 3 - 4 нс с импульсной мощностью до 100 МВт и работает с частотой следования импульсов до 3 кГц. На рис. 18 приведена фотография генератора SM-2NS, а в Таблице VI - его технические параметры. 
Рис. 18.
Таблица VI. Характеристики генератора SM-2NS
Другой, более мощный генератор SM-3NS, позволяет формировать импульсы длительностью 5-6 нс, мощностью до 500 МВт и напряжением до 400 кВ с частотой следования до 2 кГц в режиме пачки. В Таблице VII приведены его технические характеристики, а рис. 19 иллюстрирует осциллограмму выходного напряжения на нагрузке 1.3 кОм. Амплитуда - 400 кВ. 
Рис. 19. Таблица VII.Характеристики генератора SM-3NS.
|